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              IGBT單管特性檢驗實訓箱

              一、配置鋁合金箱體,鋁塑板面板, 12V開關電源,110V開關電源,頻率可調高頻信號發生器,IGBT管,MOS管,普通三極管,電機,開關,交流接觸器,電源線,電壓表,電流表,頻率表,用電器,三極管MOS管插座,各種不同數值的保險絲管,8格器件盒。二、功能1.IGBT高頻特性試驗——通過高頻信號發生器,同時給IGBT管的柵極G和普通三極管的基極B加控制信號,發射極E接地,集電極C加一上拉電阻,用雙通

              一、配置

              鋁合金箱體,鋁塑板面板, 12V開關電源,110V開關電源,頻率可調高頻信號發生器,IGBT管,MOS管,普通三極管,電機,開關,交流接觸器,電源線,電壓表,電流表,頻率表,用電器,三極管MOS管插座,各種不同數值的保險絲管,8格器件盒。

              二、功能

              1.IGBT高頻特性試驗——通過高頻信號發生器,同時給IGBT管的柵極G和普通三極管的基極B加控制信號,發射極E接地,集電極C加一上拉電阻,用雙通道示波器同時觀測基極B和集電極C信號波形,從低到高逐步增大信號頻率,觀測輸入輸出波形什么時候開始有不同步現象,分別記錄下IGBT管和普通三極管或者MOS管的不同步時的頻率數值。對于實驗數據進行比較,可以得出結論:IGBT有高頻適應特性。

              2.IGBT大電流特性——通過給IGBT柵極B加一個小電流低電壓控制信號,控制IGBT管導通和切斷,發射極接地,集電極通過+12V電源和保險絲連接一個電機,IGBT管導通,電機運轉,IGBT管截止,電機停止運轉。觀察此時流過電機的電流大小,做記錄。然后用同樣的方法和步驟,用普通三極管或者MOS管替代IGBT管,觀察電機運轉情況,同時記錄下電機停轉的電流值。比較不同管子的實驗數據和電機運轉情況,得出結論,IGBT有大電流適應特性。

              3.IGBT高電壓特性——給IGBT柵極G加一個小電流低電壓控制信號,控制IGBT管導通和切斷,發射極接地,集電極通過110V開關電源和保險絲連接一個用電器,觀察用電器和IGBT管工作情況。用普通三極管或者MOS管替代IGBT管,觀察用電器盒三極管情況,同時記錄下現象。比較不同管子的實驗現象和電機運轉情況,得出結論,IGBT有高電壓適應特性。

              三、技術參數

              1.箱體長×寬×高:435×325×200mm;

              2.工作電壓:AC220V  DC12V  DC110V

              3.重量:約5KG


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